匀强磁场被限制在图中的虚线框内,abcd是一个导体框,当导体框向 运动时匀强磁场被限制在图中的虚线框内,abcd是一个导体框,当导体框向?运动时,有顺时针/逆时针/无感应电流.?处填上下左右

来源:学生作业帮助网 编辑:作业帮 时间:2024/05/06 02:29:07
匀强磁场被限制在图中的虚线框内,abcd是一个导体框,当导体框向 运动时匀强磁场被限制在图中的虚线框内,abcd是一个导体框,当导体框向?运动时,有顺时针/逆时针/无感应电流.?处填上下左右

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匀强磁场被限制在图中的虚线框内,abcd是一个导体框,当导体框向 运动时

匀强磁场被限制在图中的虚线框内,abcd是一个导体框,当导体框向?运动时,有顺时针/逆时针/无感应电流.

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匀强磁场被限制在图中的虚线框内,abcd是一个导体框,当导体框向 运动时匀强磁场被限制在图中的虚线框内,abcd是一个导体框,当导体框向?运动时,有顺时针/逆时针/无感应电流.?处填上下左右
左右运动磁通量发生变化,所以有感应电流.向左磁通量增加,有逆时针的电流.向右有顺时针电流.

匀强磁场被限制在图中的虚线框内,abcd是一个导体框,当导体框向 运动时匀强磁场被限制在图中的虚线框内,abcd是一个导体框,当导体框向?运动时,有顺时针/逆时针/无感应电流.?处填上下左右 如图所示,虚线框abcd内为边长均为L的正方形匀强电场和匀强磁场区域 能从PQ边离开如图所示,虚线框abcd内为边长均为L的正形匀强电场和匀强磁场区域,电场强度的大小为E,方向向下,磁感应强度 如图所示,虚线框内空间中同时存在着匀强电场和匀强磁场,匀强电场的电场线方向竖直向上,电场强度E=6×10^4V/m,匀强磁场的磁感线未在图中画出,一带正电的粒子按图示方向垂直进入虚线框空 如图所示,虚线框abcd内为一矩形匀强磁场区域,ab=2bc,磁场方向垂直于纸面;实线框a·b·c·d·……如图所示,虚线框abcd内为一矩形匀强磁场区域,ab=2bc,磁场方向垂直于纸面;实线框a·b·c·d·是一 如图所示,在虚线框内存在一水平方向的匀强磁场,一矩形线圈竖直下落,依次经过途中... 图中两条平行虚线之间存在匀强磁场,虚线间的距离为l,磁场方向垂直纸面向里.abcd是位于纸面内的等腰梯的有效长度是什么 如图所示,在虚线框内存在一垂直纸面向里、磁感应强度为B的匀强磁场,在纸面内一导线框的三条竖直边... 竖直平面内虚线上方存在水平匀强磁场,虚线下方一正方形闭合线圈,线圈穿过虚线进入磁场……竖直平面内虚线上方存在水平匀强磁场,虚线下方一正方形闭合线圈,线圈穿过虚线进入磁场,又 在光滑绝缘的水平面上有一个用一根均匀导体围成的正方形线框abcd,其边长为L,总电阻为R,放在磁感应强度为B.方向竖直向下的匀强磁场的左边,图中虚线MN为磁场的左边界.线框在大小为F的恒 如图所示,虚线框abcd内为一矩形的匀强磁场区域,ab=2bc,强磁方向垂直于纸面,实线框a'b'c'd'是一正方形导线框,a'b'边与ab边平行,若将导线框匀速地拉离磁场区域,以w表示沿平行于ab的方向拉出过程 如图所示,虚线框abcd内为一矩形匀强磁场区域,ab=2bc,磁场方向垂直于纸面;实线框a′b′c′d′是一正方形导线框,a′b′边与ab边平行,若将导线框匀速地拉离磁场区域,以W1表示和平行于ab的方向 在竖直平面内,以虚线为界分布着如图所示的匀强电场和匀强磁场,其中匀强电场方向向下,大小为E;匀强磁场垂直纸面向里,磁感应强度大小为B.虚线与水平线之间的夹角为θ=45°,一带电粒子 图中两条平行虚线之间存在匀强磁场,虚线间的距离为l,磁场方向垂直纸面向里.abcd是位于纸面内的梯形线圈,ad与bc间的距离也为l.t=0时刻,bc边与磁场区域边界重合,如图所示.现令线圈以恒定的 圆线圈和导线框都固定在竖直平面内.圆线圈内的匀强磁场的磁感应强度B1均匀变化,线框中的磁场是磁感应强度B2=0.2T的恒定匀强磁场,导线框是裸导线,导体ab在导线框上可无摩擦地滑动,如图所 如图所示,相距为d的两水平虚线L1和L2分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的感应强度为B,正方形线框abcd的边长为L(L < d)、质量为m、电阻为R.现将线框在磁场上方h高处由静止开始释放,当ab 如图甲,在虚线所示的区域有竖直向上的匀强磁场,面积为S的单匝金属线框放在磁场中,线框 如图甲,在虚线所示的区域有竖直向上的匀强磁场,面积为S的单匝金属线框放在磁场中,线框上开有一 如图所示,边长为L的正方形导线框abcd,在垂直于匀强磁场方向的平面内,如图所示,边长为L的正方形导线框abcd,在垂直于匀强磁场方向的平面内,以垂直于cd边的速度v运动,磁场磁感应强度为B,线框 电磁感应定律的.2.如图所示,相距为d的两水平虚线 和 分别是水平向里的匀强磁场的边界,磁场的磁感应强度为B,正方形线框abcd边长为L(L